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检索词条 —— semiconductor lumines-cence

中文：半导体发光；英文：semiconductor lumines-cence
基于无机和有机半导体材料发光的现象。属固态发光。
中文：半导体光开关；英文：semiconductor opti-cal switch
利用半导体光器件实现对光路连接状态（接通、切断以及光路选择等）的光开关。常用的半导体光器件有半导体光放大器（SOA）、垂直腔表面发射激光器（VCSE）以及半导体光电导器件等。由于具有多个可控制的光学参数，实现不同的光学处理，比如交叉增益调制、交叉相位调制、交叉偏振调制、四波混频等，因此可以构成不同原理的光开关。
中文：有机半导体；英文：organic semiconductor
用有机材料制作的半导体。其导电性介于绝缘体和金属之间。
中文：体材料半导体；英文：bulk semiconductor
三维空间各维宏观尺寸大于电子平均自由程的半导体。电子在这种半导体中可相对自由地运动，即有三个自由度。
中文：N型半导体；英文：N-type semiconductor
又称“电子型半导体”。掺有施主杂质的半导体。其导电性由带负电的电子所决定。
中文：P型半导体；英文：P-type semiconductor
又称“空穴型半导体”。掺有受主杂质的半导体，其导电性由带正电的空穴所决定。
中文：掺杂半导体；英文：doped semiconductor
为满足应用需求，在半导体中掺入一定浓度的某种杂质原子，以改变其导电性和实现某种功能的半导体。为尽量减少因杂质掺入引起的内应力，应选择与本征半导体格点上某元素原子半径相近的杂质原子并最好以替代方式掺入本征半导体晶格中。
中文：本征半导体；英文：intrinsic semiconductor
没有外掺杂且晶格完整的纯净半导体。其特点是费米能级居带隙中间，参与导电的自由电子和空穴浓度相等。
中文：III-N化合物半导体；英文：III-nitrogen compound semiconductor
元素周期表中IIIA中的铝（A1）、镓（Ga）、铟（In）元素和VA中的氮（N）元素组成的一类化合物半导体。如GaN、AlN、InN、AlGaN、 InGaN、AlInN、AlInGaN 等。
中文：III-V族化合物半导体；英文：III-V com-pound semiconductor
由元素周期表中III族元素和V族元素构成的化合物半导体。
中文：间接带隙半导体；英文：indirect band gap semiconductor
导带底与价带顶具有不同的动量，光子激发下的载流子在这两个能量极值之间的跃迁必须有声子参与才能维持的一种半导体。
中文：直接带隙半导体；英文：direct band gap semiconductor
导带底和价带顶具有相同的动量，在光子激发下载流子可在两个带隙之间直接跃迀而不需要其他动量参与的半导体。
中文：半导体；英文：semiconductor
在常温下其电导率介于金属导体（~109 S/m） 和绝缘体（
中文：非本征半导体太赫兹探测器；英文：extrin- sic semiconductor terahertz detector
在高纯半导体中引入浅杂质能级，利用太赫兹波辐照使浅杂质发生离化，引起光电导或光伏效应，从而实现对太赫兹波辐射强度探测的光电探测器。
中文：金属-半导体-金属光电探测器；英文：metal- semiconductor-metal photoelectric de-tector
一种基于金属-半导体-金属结构的光电探测器。它易于和场效应管单片集成实现光电子集成回路。
中文：半导体光电探测器；英文：semiconductor photoelectric detector
利用半导体的光电效应将光信号转换为电信号的器件。如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等。
中文：半导体激光二极管；英文：semiconductor laser diode
由半导体PN结二极管构成，在正向注入电流驱动下工作的激光器。
中文：表面发射半导体激光器；英文：surface- emitting semiconductor laser
激光输出方向垂直于PN结的半导体激光器。其结构包括垂直腔型和水平腔型两种。
中文：锁相列阵半导体激光器；英文：phase-locked laser semiconductor array
半导体激光器线阵各条形激光器之间具有确定光相位差的列阵激光器。它具有改善激光方向性的特性。
中文：外腔半导体激光器；英文：extemal-cavity semiconductor laser
由外部光学谐振腔与半导体增益介质组成的激光器。
中文：半导体激光器；英文：semiconductor laser
以半导体材料中电子与空穴的复合发光为工作原理的激光器。
中文：半导体发光材料；英文：semiconductor lu-minescent materials
基于半导体PN结中导带电子与价带空穴复合发光原理的发光材料。
中文：光激励发光；英文：photo stimulate lumines-cence
利用光子使被陷的载流子从陷阱中释出而产生的发光现象。
中文：射线及高能粒子发光；英文：radiolumines-cence
在X射线、γ射线、α粒子、β粒子、质子或中子等激发下，物质产生发光的现象。发光物质对X射线和高能粒子能量的吸收包括三个过程：带电粒子的减速、高能光子的吸收和电子-正电子对的形成。
中文：半导体吸收；英文：semiconductor absorp-tion
半导体对紫外线、可见光、红外线全部光频波段中电磁波的吸收现象。从微观过程看，包括：①本征光吸收，对应于电子能带间的跃迀；②杂质吸收，对应于电子在杂质态与价带或导带间的跃迁；③晶格吸收，对应于光子与振动晶格的能量交换；④自由载流子吸收，对应于载流子的带内跃迁；⑤其他，如多光子激发所对应的光吸收等。它是研究半导体中电子能量状态的重要方法之一。
中文：半导体光放大器；英文：semiconductor op-tical amplifier / SO A
利用向半导体PN结注入电流使载流子实现粒子数反转，从而产生受激辐射放大的光放大器。
中文：金属绝缘半导体；英文：metal insulator semiconductor / MIS
以金属层和半导体衬底作为两个极板、绝缘体作为电介质组成的类似于电容器三层结构的半导体。
中文：半导体可饱和吸收镜；英文：semiconductor saturable absorber mirror / SESAM
一种起可饱和吸收体作用并兼有反射镜作用的半导体与反射镜构成的复合光器件。它可简化飞秒激光器的设计，并能改善激光器的输出能量、重复率及脉冲宽度等性能，获得广泛应用。
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